2025年度当初予算
13.5億円
2024年度執行: 13.5億円
事業の目的・概要
事業の目的
本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN等の次世代半導体の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等のパワーエレクトロニクス(パワエレ)技術を実現することにより、世界に先駆けた超省エネ・高性能なパワエレ機器の早期創出に貢献し、2050 年カーボンニュートラルの実現と世界市場獲得を目指す。
現状・課題
パワエレ技術は、パワーデバイス、コイルやコンデンサなどの受動素子等、それらを搭載・制御するパワエレ回路システムを組み合わせた複合技術であり、パワーデバイスや受動素子等が特定の条件において優れた特性を示しても、パワエレ機器としてみた場合、実用上は不十分である場合があることから、パワエレ構成要素それぞれの特性を生かした個々の積み上げ型の研究開発に加えて、あくまでパワエレ機器トータルとして「まとめあげる」ことに主軸を置いた、統合的な研究開発が必要である。
事業の概要
GaN、SiC、Ga2O3等の次世代半導体を用いたパワエレ技術に関して、パワエレ回路システム、パワーデバイス、受動素子等について、各デバイス特性を活かした積み上げ型の研究開発に加えて、それらを俯瞰、連携した組合せ型の研究開発を行うことのできる研究開発体制とハブテクノロジー(パワエレ機器トータルとしてまとめあげる技術)を構築し、基礎基盤研究を実施する。
予算・執行の年度推移
| 年度 | 当初予算 | 執行額 |
|---|---|---|
| 2025年度(当年度) | 13.5億円 | - |
| 2024年度 | 13.5億円 | 13.5億円 |
| 2023年度 | 13.5億円 | 13.7億円 |
| 2022年度 | 13.5億円 | 13.4億円 |
| 2021年度 | 13.5億円 | 19.9億円 |
執行率は当初予算ではなく、歳出予算現額合計を分母として算出しています。
2024年度実績支出先・契約情報
お金の流れ(ノード図)
下流支出・再委託・配分先は、直接支出先を経由した流れです。直接支出額と単純合算しないでください。
支出先詳細
下流支出・再委託先は直接支出先を経由した流れです
「配分先」ブロックの金額は直接支出先がさらに配分・再委託したものです。直接支出額と単純合算すると二重計上になります。
直接ブロック B国立大学法人東海国立大学機構
5.1億円
GaN等の優れた半導体材料特性を実現するパワーデバイスの研究開発
国立大学法人東海国立大学機構
配分先ブロック G富士電機株式会社 ほか
1.4億円
参画機関として、担当部分の研究を実施
富士電機株式会社
国立研究開発法人物質・材料研究機構
国立大学法人大阪大学
国立大学法人東北大学
国立大学法人北海道大学
国立大学法人筑波大学
学校法人名城大学
株式会社豊田中央研究所
直接ブロック C国立研究開発法人物質・材料研究機構 ほか
3.6億円
発熱(ロス)が少なく小型なコイル(磁性材料)やコンデンサなどの材料の研究開発
国立研究開発法人物質・材料研究機構
国立大学法人信州大学
国立大学法人北海道大学
配分先ブロック H国立大学法人東北大学 ほか
2.0億円
参画機関として、担当部分の研究を実施
国立大学法人東北大学
東京都公立大学法人
国立研究開発法人産業技術総合研究所
株式会社トーキン
学校法人東京理科大学
国立大学法人京都大学
国立大学法人大阪大学
国立大学法人山梨大学
国立大学法人九州工業大学
日本ケミコン株式会社
国立大学法人名古屋工業大学
直接ブロック A国立大学法人東北大学 ほか
2.8億円
次世代半導体パワーデバイスを用いて、従来よりも超省エネ・高性能なパワー制御技術の原理実証
国立大学法人東北大学
東京都公立大学法人
配分先ブロック F国立大学法人筑波大学 ほか
9,290万円
参画機関として、担当部分の研究を実施
国立大学法人筑波大学
国立大学法人横浜国立大学
国立大学法人茨城大学
学校法人早稲田大学
直接ブロック D国立大学法人千葉大学 ほか
1.5億円
将来的にパワエレ機器や革新的なエネルギーデバイスへの応用を目指す次々世代の要素技術の戦略的開発
国立大学法人大阪大学
国立研究開発法人産業技術総合研究所
国立大学法人千葉大学
国立大学法人東海国立大学機構
国立大学法人東北大学
配分先ブロック I国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか
6,000万円
参画機関として担当部分の研究を実施
国立研究開発法人産業技術総合研究所
国立大学法人金沢大学
慶應義塾
国立大学法人千葉大学
国立大学法人筑波大学
学校法人東京理科大学
学校法人関西学院
国立大学法人東京科学大学
株式会社村田製作所
直接ブロック E株式会社三菱総合研究所 ほか
5,370万円
各研究の連携を支援するとともに、諸外国の研究動向をリアルタイムで調査し、事業運営委に反映
株式会社三菱総合研究所
点検・評価コメント
行政事業レビュー推進チームの所見
本事業は、当初計画に基づき令和7年度をもって終了予定。なお、外部有識者の所見も参考に、本事業の成果の検証を行い、今後の事業実施に活用されたい。
事業所管部局による点検・改善
地球温暖化や、エネルギーの安定確保は我が国の喫緊の課題であり、既存の省エネルギー技術のみならず、消費電力の革新的な提言を実現できる技術の研究開発及び早期の社会実装は必須であり、国が主導して行う必要がある。
改善の方向性
上記の点検を踏まえつつ、同事業の目的を達成するため、予算を効果的かつ適切に執行していく。
外部有識者による点検
アウトカムの論文数や特許出願数等、数値は目標をクリアしているが、実用化に向けての指標が難しく、進捗状況を判断することは困難なため、一層の工夫が必要である。しかし、世界に先駆けた開発の必要性は必須と考える。また、次々世代・周辺技術領域の分野において、3年で中間審査を行い進捗状況に応じて再配分を行っている点は評価できる。
所見を踏まえた改善点・反映状況
当該事業は当初計画通り令和7年度をもって終了する。
成果指標・目標値・実績値
研究成果の論文化
測定指標:論文累積件数[単位: 件]
年度別データを表示(2021〜2025年度)
| 年度 | 目標値 | 実績値 | 達成率 |
|---|---|---|---|
| 2021年度 | 30.0 | 19.0 | 63.33333 |
| 2022年度 | 60.0 | 51.0 | 85.0 |
| 2023年度 | 100.0 | 106.0 | 106.0 |
| 2024年度 | 150.0 | 166.0 | 110.66667 |
| 2025年度 | 200.0 | - | - |
研究成果の特許化
測定指標:特許出願累積件数[単位: 件]
年度別データを表示(2021〜2025年度)
| 年度 | 目標値 | 実績値 | 達成率 |
|---|---|---|---|
| 2021年度 | 9.0 | 2.0 | 22.22222 |
| 2022年度 | 18.0 | 15.0 | 83.33333 |
| 2023年度 | 27.0 | 29.0 | 107.40741 |
| 2024年度 | 36.0 | 50.0 | 138.88889 |
| 2025年度 | 45.0 | - | - |
実用化に向けた企業との共同研究の実施
測定指標:本事業から発展した企業との共同研究数[単位: 件]
年度別データを表示(2021〜2025年度)
| 年度 | 目標値 | 実績値 | 達成率 |
|---|---|---|---|
| 2021年度 | - | 13.0 | - |
| 2022年度 | 14.0 | 18.0 | 128.57143 |
| 2023年度 | 16.0 | 21.0 | 131.25 |
| 2024年度 | 19.0 | 29.0 | 152.63158 |
| 2025年度 | 24.0 | - | - |
パワエレ回路システム、パワーデバイス、受動素子等の一体的な基礎基盤研究等の実施
測定指標:パワエレ回路システム、パワーデバイス、受動素子等に関する研究開発テーマ数[単位: 件]
年度別データを表示(2021〜2025年度)
| 年度 | 目標値 | 実績値 | 達成率 |
|---|---|---|---|
| 2021年度 | - | 15.0 | - |
| 2022年度 | 15.0 | 15.0 | 100.0 |
| 2023年度 | 15.0 | 15.0 | 100.0 |
| 2024年度 | 12.0 | 12.0 | 100.0 |
| 2025年度 | 12.0 | - | - |
※ アクティビティ(活動の記述)1件は省略しています
費目・使途の内訳(補足情報)
費目・使途はCSV5-3由来の補足情報です。金額は契約内の支出の内訳であり、上記の2024年度執行額(CSV2)とは集計対象・範囲が異なります。事業全体の執行額の計算には使用しないでください。
国立大学法人東海国立大学機構
GaN等の優れた半導体材料特性を実現するパワーデバイスの研究開発
5.1億円5費目 ▾
国立大学法人東海国立大学機構
GaN等の優れた半導体材料特性を実現するパワーデバイスの研究開発
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| その他 | 1.5億円 |
| 物品費 | 1.3億円 |
| 間接経費 | 1.2億円 |
| 人件費・謝金 | 9,360万円 |
| 旅費 | 1,770万円 |
国立大学法人東北大学
脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクス
2.2億円5費目 ▾
国立大学法人東北大学
脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクス
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| その他 | 5,880万円 |
| 物品費 | 5,610万円 |
| 間接経費 | 5,100万円 |
| 人件費・謝金 | 4,370万円 |
| 旅費 | 1,150万円 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的パワーエレクトロニクスのための超低損失磁性材料の創成
2.0億円5費目 ▾
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的パワーエレクトロニクスのための超低損失磁性材料の創成
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| 人件費・謝金 | 7,180万円 |
| 間接経費 | 4,680万円 |
| 物品費 | 4,290万円 |
| その他 | 3,250万円 |
| 旅費 | 890万円 |
国立大学法人東北大学
低損失・高Be磁性材料開発/損失データベース構築/損失可視化技術開発/中小電力用低損失磁性デバイス開発
7,640万円5費目 ▾
国立大学法人東北大学
低損失・高Be磁性材料開発/損失データベース構築/損失可視化技術開発/中小電力用低損失磁性デバイス開発
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| 人件費・謝金 | 2,430万円 |
| その他 | 1,870万円 |
| 間接経費 | 1,760万円 |
| 物品費 | 1,180万円 |
| 旅費 | 400万円 |
株式会社三菱総合研究所
革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業における研究支援業務の実施
5,370万円5費目 ▾
株式会社三菱総合研究所
革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業における研究支援業務の実施
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| 人件費・謝金 | 3,440万円 |
| 間接経費 | 1,240万円 |
| その他 | 380万円 |
| 旅費 | 310万円 |
| 物品費 | - |
富士電機株式会社
テスト用模型MOSFETを用いたしきい値変動現象メカニズム解明/DMOSFET
4,560万円4費目 ▾
富士電機株式会社
テスト用模型MOSFETを用いたしきい値変動現象メカニズム解明/DMOSFET
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| 物品費 | 1,610万円 |
| 人件費・謝金 | 1,180万円 |
| 間接経費 | 1,050万円 |
| その他 | 720万円 |
国立大学法人大阪大学
炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築
4,280万円5費目 ▾
国立大学法人大阪大学
炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| その他 | 1,560万円 |
| 物品費 | 1,190万円 |
| 間接経費 | 990万円 |
| 旅費 | 330万円 |
| 人件費・謝金 | 210万円 |
国立大学法人筑波大学
絶縁DC-DCコンバータの高性能化/SSTにおけるパワーフロー制御に関する研究開発
2,800万円5費目 ▾
国立大学法人筑波大学
絶縁DC-DCコンバータの高性能化/SSTにおけるパワーフロー制御に関する研究開発
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| 物品費 | 1,580万円 |
| 間接経費 | 650万円 |
| 人件費・謝金 | 350万円 |
| 旅費 | 170万円 |
| その他 | 50万円 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所
MOS界面科学の構築、新規MOS構造形成技術の探索
2,040万円4費目 ▾
国立研究開発法人産業技術総合研究所
MOS界面科学の構築、新規MOS構造形成技術の探索
| 費目 | 金額 |
|---|---|
| その他 | 1,200万円 |
| 間接経費 | 470万円 |
| 物品費 | 300万円 |
| 旅費 | 70万円 |
この事業についての議論
すべて見るデータ注記
本データは内閣府「行政事業レビュー」公開CSVから抽出・整理したものです。 金額は記載値(円)を百万円に換算して表示しています。支出先情報は主に2024年度実績支出として表示し、上位30件を表示しています。